🔬 Un estudio publicado en Nature presenta películas de óxido de aluminio y galio dopadas con silicio. Su banda prohibida supera los 7 eV, por encima del nitruro de boro cúbico. El equipo también fabricó dos dispositivos, un paso hacia la electrónica de potencia con estos materiales.
En electrónica de potencia, las bandas prohibidas más amplias permiten mayor eficiencia y densidad de potencia. Pero controlar cuánto conduce un material mediante dopantes resulta más difícil a medida que crece esa banda.
El equipo hizo crecer las películas de α-(AlₓGa₁₋ₓ)₂O₃ mediante epitaxia de haces moleculares con subóxidos. En las películas con bandas superiores a 6 eV, midió la conductividad a temperatura ambiente. El valor supera en más de 100 millones de veces todos los registros previos publicados para ese régimen.
Los investigadores fabricaron un diodo Schottky y un transistor de efecto de campo, llamado AlphaFET, con canales de banda prohibida superior a 6 eV. Las películas y los dispositivos usan zafiro como soporte: un material abundante, barato y producido a gran escala.
✅ Usar zafiro podría facilitar el desarrollo y la adopción de esta electrónica de potencia. En la muestra A27 apareció un límite térmico. Su resistencia por cuadrado aumentó unas diez veces al enfriarse de 300 a 200 K.
