🔬 Un equipo presenta en Nature un semiconductor de boro, carbono y nitrógeno de tipo p, fabricado a escala de oblea. Sus dispositivos alcanzaron una movilidad de huecos de 100 cm²/(V·s). El resultado apunta a cubrir una carencia de materiales que frena la electrónica bidimensional.
Para fabricar el material, llamado BCN, los investigadores ajustaron cómo dos compuestos pierden hidrógeno y reaccionan sobre la superficie. Así abordaron el desfase espacial y temporal en la llegada de los tres elementos, que altera la uniformidad de la red. Obtuvieron una capa de un solo átomo de espesor, donde átomos y pares de carbono sustituyen sobre todo sitios del nitrógeno.
El equipo fabricó conjuntos de transistores de tipo p a escala de oblea. La corriente de encendido superó 0,9 mA por micrómetro, con una relación entre corriente de encendido y apagado de 100 millones. Según el estudio, el desempeño supera al de los semiconductores bidimensionales de tipo p más avanzados hasta ahora.
✅ El BCN apunta a ampliar los materiales disponibles para integrar electrónica complementaria en tres dimensiones. El resumen no detalla durante cuánto tiempo se evaluó su estabilidad ni presenta resultados de circuitos complementarios completos.
